- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录330 > IDT71V3559S85BQI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT? Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table (1)
CEN
L
L
L
R/ W
L
H
X
CE 1 ,
CE 2 (5)
L
L
X
ADV/ LD
L
L
H
BW x
Valid
X
Valid
ADDRESS
USED
External
External
Internal
PREVIOUS CYCLE
X
X
LOAD WRITE /
CURRENT CYCLE
LOAD WRITE
LOAD READ
BURST WRITE
I/O
(One cycle later)
D (7)
Q (7)
D (7)
BURST WRITE
(Advance burst counter) (2)
L
X
X
H
X
Internal
LOAD READ /
BURST READ
Q (7)
BURST READ
(Advance burst counter) (2)
SUSPEND
L
L
H
X
X
X
H
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
DESELECT / NOOP
X
DESELECT or STOP (3)
NOOP
(4)
HIZ
HIZ
Previous Value
5282 tbl 08
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. When ADV/ LD signal is sampled high, the internal burst counter is incremented. The R/ W signal is ignored when the counter is advanced. Therefore the nature of
the burst cycle (Read or Write) is determined by the status of the R/ W signal when the first address is loaded at the beginning of the burst cycle.
3. Deselect cycle is initiated when either ( CE 1 , or CE 2 is sampled high or CE 2 is sampled low) and ADV/ LD is sampled low at rising edge of clock. The data bus will
tri-state one cycle after deselect is initiated.
4. When CEN is sampled high at the rising edge of clock, that clock edge is blocked from propogating through the part. The state of all the internal registers and the I/
Os remains unchanged.
5. To select the chip requires CE 1 = L, CE 2 = L and CE 2 = H on these chip enable pins. The chip is deselected if any one of the chip enables is false.
6. Device Outputs are ensured to be in High-Z during device power-up.
7. Q - data read from the device, D - data written to the device.
Partial Truth Table for Writes
(1)
WRITE BYTE 2 (I/O[8:15], I/O P2 )
WRITE BYTE 3 (I/O[16:23], I/O P3 )
OPERATION
READ
WRITE ALL BYTES
WRITE BYTE 1 (I/O[0:7], I/O P1 ) (2)
(2)
(2,3)
WRITE BYTE 4 (I/O[24:31], I/O P4 ) (2,3)
NO WRITE
R/ W
H
L
L
L
L
L
L
BW 1
X
L
L
H
H
H
H
BW 2
X
L
H
L
H
H
H
BW 3 (3)
X
L
H
H
L
H
H
BW 4 (3)
X
L
H
H
H
L
H
5282 tbl 09
NOTES:
1. L = V IL , H = V IH , X = Don’t Care.
2. Multiple bytes may be selected during the same cycle.
3. N/A for x18 configuration.
Interleaved Burst Sequence Table ( LBO =V DD )
Sequence 1
Sequence 2
Sequence 3
Sequence 4
A1
A0
A1
A0
A1
A0
A1
A0
First Address
Second Address
Third Address
Fourth Address (1)
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
NOTE:
1. Upon completion of the Burst sequence the counter wraps around to its initial state and continues counting.
9
6.42
5282 tbl 10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IDT71V35761YSA200BGI
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
IDT71V3577S75BQG
IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
IDT71V3578S150PFGI
IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
IDT71V416L10PHGI
IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
IDT71V424S10YGI
IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ
IDT71V432S5PFGI
IC SRAM 1MBIT 5NS 100TQFP
IDT71V546S133PFGI
IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
IDT71V547S80PFGI
IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
相关代理商/技术参数
IDT71V3559S85PF
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PF8
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PFG
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V3559S85PFG8
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
IDT71V3559S85PFI
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559S85PFI8
功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BG
功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V3559SA75BG8
功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040